SI7172DP-T1-GE3

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SI7172DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.076 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5.4 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

输入电容Ciss 2250pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7172DP-T1-GE3
型号: SI7172DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7172DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 200V, 25A, SOIC, 整卷

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