VISHAY SI7430DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 150 V, 0.036 ohm, 10 V, 4.5 V
The is a 150VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch and single-ended power switch applications.
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- Extremely low Qgd for reduced dV/dt, Qgd and shoot-through
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
针脚数 8
漏源极电阻 0.036 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5.2 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
上升时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7430DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7430DP-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI7430DP-T1-GE3和SI7430DP-T1-E3的区别 |