SI7460DP-T1-E3

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SI7460DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0096 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.9 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7460DP-T1-E3
型号: SI7460DP-T1-E3
描述:N沟道 60 V 0.0096 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8

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