SI4448DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI4448DY-T1-E3图片1

SI4448DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

上升时间 22 ns

下降时间 33 ns

封装参数

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买SI4448DY-T1-E3

型号： SI4448DY-T1-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：MOSFET 12V 50A 7.8W 1.7mohm @ 4.5V