SIR870DP-T1-GE3

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SIR870DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.005 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 100 V

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SIR870DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SIR870DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.2 V

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