SUM90N10-8M2P-E3

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SUM90N10-8M2P-E3概述

VISHAY  SUM90N10-8M2P-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 6.7 mohm, 10 V, 2.5 V

The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for power supply and primary switch applications.

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100% Rg tested
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100% UIS tested
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-55 to 175°C Operating temperature range

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin2+Tab D2PAK


富昌:
单 N沟道 100 V 8.2 mOhm 表面贴装 功率 Mosfet - TO-263


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin2+Tab D2PAK


Newark:
# VISHAY  SUM90N10-8M2P-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 100 V, 6700 µohm, 10 V, 2.5 V


SUM90N10-8M2P-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0067 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 100 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SUM90N10-8M2P-E3
型号: SUM90N10-8M2P-E3
描述:VISHAY  SUM90N10-8M2P-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 6.7 mohm, 10 V, 2.5 V
替代型号SUM90N10-8M2P-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SUM90N10-8M2P-E3

Vishay Semiconductor 威世

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BUK768R1-100E

恩智浦

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