SI7852ADP-T1-E3概述
VISHAY SI7852ADP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 80 V, 17 mohm, 10 V, 2.5 V
The is a 80VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
e络盟:
VISHAY SI7852ADP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 80 V, 17 mohm, 10 V, 2.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PowerPAK SO T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PowerPAK SO T/R
富昌:
单 N 沟道 80 V 0.017 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - PowerPAK-SO-8
SI7852ADP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 17 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 62.5 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 9 ns
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
外形尺寸
封装 PowerPAK SO
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI7852ADP-T1-E3
型号： SI7852ADP-T1-E3
描述：VISHAY SI7852ADP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 80 V, 17 mohm, 10 V, 2.5 V