VISHAY SIR890DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 20 V, 0.0023 ohm, 20 V, 2.6 V
The is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for low-side device in synchronous buck DC-to-DC converter applications.
针脚数 8
漏源极电阻 0.0023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 2.6 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 10.0 ns
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册