SIHH26N60E-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.117 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 202 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 54 ns
输入电容Ciss 2815 pF
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 202 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK-8x8-4
外形尺寸
长度 8.1 mm
宽度 8.1 mm
高度 1 mm
封装 PowerPAK-8x8-4
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SIHH26N60E-T1-GE3
型号： SIHH26N60E-T1-GE3
描述：VISHAY SIHH26N60E-T1-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 600 V, 0.117 ohm, 10 V, 4 V