SIE818DF-T1-E3

SIE818DF-T1-E3图片1
SIE818DF-T1-E3图片2
SIE818DF-T1-E3图片3
SIE818DF-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 125 mW

漏源极电压Vds 75.0 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

封装参数

引脚数 10

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

封装 PolarPAK-10

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIE818DF-T1-E3
型号: SIE818DF-T1-E3
描述:N通道75 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 75-V D-S MOSFET

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司