SIHP8N50D-E3

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SIHP8N50D-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.7 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 156 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 16 ns

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHP8N50D-E3
型号: SIHP8N50D-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3Pin3+Tab TO-220AB

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