SIHP5N50D-E3

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SIHP5N50D-E3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

上升时间 11 ns

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.7 mm

高度 15.49 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHP5N50D-E3
型号: SIHP5N50D-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3Pin3+Tab TO-220AB

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