SIHG22N60S-E3

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SIHG22N60S-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.16 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 22.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

封装 TO-247

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SIHG22N60S-E3
描述:600 V功率MOSFET 600 V Power mosfets

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