VISHAY SI1480DH-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 100 V, 0.161 ohm, 10 V, 1.6 V
The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
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- 100% Rg tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
欧时:
### N 通道 MOSFET，中等电压/ThunderFET®，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 6-Pin SC-70 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 6-Pin SOT-363 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 6-Pin SC-70 T/R
Newark:
# VISHAY SI1480DH-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 100 V, 0.161 ohm, 10 V, 1.6 V
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.161 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 130pF @50VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.8 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, LED Lighting, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15