VISHAY SIHF8N50D-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 500 V, 0.7 ohm, 10 V, 3 V
The is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications.
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- Low area specific ON-resistance
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- Low input capacitance CISS
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- Reduced capacitive switching losses
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- High body diode ruggedness
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- Avalanche energy rated UIS
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- Simple gate drive circuitry
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- Low figure-of-merit FOM Ron x Qg
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- Fast switching
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 33 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 527pF @100VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 33 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.63 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.8 mm
封装 TO-220-3
包装方式 Bulk
制造应用 Industrial, Consumer Electronics, Power Management, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SIHF8N50D-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SIHP8N50D-GE3 威世 | 类似代替 | SIHF8N50D-E3和SIHP8N50D-GE3的区别 |
NDF08N50ZG 安森美 | 功能相似 | SIHF8N50D-E3和NDF08N50ZG的区别 |