SI8821EDB-T2-E1

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SI8821EDB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 4

漏源极电阻 0.105 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 900 mW

阈值电压 1.3 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 20 ns

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 MicroFoot-4

外形尺寸

封装 MicroFoot-4

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

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型号: SI8821EDB-T2-E1
描述:VISHAY  SI8821EDB-T2-E1  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.3 A, -30 V, 0.105 ohm, -4.5 V, -600 mV

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