SI8465DB-T2-E1

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SI8465DB-T2-E1概述

VISHAY  SI8465DB-T2-E1  晶体管, P沟道

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition * TrenchFET® Power MOSFET * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC


e络盟:
VISHAY  SI8465DB-T2-E1  晶体管, P沟道


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 4-Pin SMD T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R


Newark:
# VISHAY  SI8465DB-T2-E1  MOSFET Transistor, P Channel, -3.8 A, -20 V, 104 mohm, -4.5 V, -1.5 V


SI8465DB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.104 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 780 mW

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -3.80 A

上升时间 20 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 TrenchFET

外形尺寸

封装 TrenchFET

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI8465DB-T2-E1
型号: SI8465DB-T2-E1
描述:VISHAY  SI8465DB-T2-E1  晶体管, P沟道

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