SI5913DC-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI5913DC-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

上升时间 40 ns

下降时间 10 ns

封装参数

封装 ChipFET-8

外形尺寸

封装 ChipFET-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI5913DC-T1-GE3

型号： SI5913DC-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：20V,-4A,P沟道MOSFET