SIHA12N50E-E3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.33 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 32 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 550 V
上升时间 16 ns
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 15.49 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIHA12N50E-E3
型号： SIHA12N50E-E3
描述：VISHAY SIHA12N50E-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 V
替代型号SIHA12N50E-E3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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