SUP90N04-3M3P-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUP90N04-3M3P-GE3概述

VISHAY SUP90N04-3M3P-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1 V

The is a 40VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC converter and power supply applications.

.: 100% Rg tested

.: 100% UIS tested

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SUP90N04-3M3P-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0027 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 5286pF @20VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.51 mm

宽度 4.65 mm

高度 15.49 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SUP90N04-3M3P-GE3

型号： SUP90N04-3M3P-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SUP90N04-3M3P-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1 V

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