VISHAY SIA461DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -20 V, 0.025 ohm, -4.5 V, -400 mV
The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, battery switch and charger switch applications.
针脚数 6
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 17.9 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 17.9 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70
长度 1.7 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.8 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册