SI4174DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4174DY-T1-GE3概述

VISHAY SI4174DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 30 V, 7.8 mohm, 10 V, 1 V

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high-side switch applications.

SI4174DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0078 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 12 ns

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4174DY-T1-GE3

型号： SI4174DY-T1-GE3

描述：VISHAY SI4174DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 30 V, 7.8 mohm, 10 V, 1 V

替代型号SI4174DY-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4174DY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
FDS6680A 飞兆/仙童	功能相似	SI4174DY-T1-GE3和FDS6680A的区别
FDS8880 飞兆/仙童	功能相似	SI4174DY-T1-GE3和FDS8880的区别
STS11NF30L 意法半导体	功能相似	SI4174DY-T1-GE3和STS11NF30L的区别