SI4447DY-T1-GE3

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SI4447DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.045 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.1 W

漏源极电压Vds -40.0 V

连续漏极电流Ids -3.30 A

上升时间 12 ns

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4447DY-T1-GE3
型号: SI4447DY-T1-GE3
描述:MOSFET 40V 4.5A 2W 54mohm @ 10V

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