SIR412DP-T1-GE3

SIR412DP-T1-GE3图片1
SIR412DP-T1-GE3图片2
SIR412DP-T1-GE3图片3
SIR412DP-T1-GE3图片4
SIR412DP-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition * TrenchFET® Power MOSFET * Low Thermal Resistance PowerPAK® Package with Low 1.07 mm Profile * Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation * 100 % Rg Tested * 100 % UIS Tested * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC


欧时:
### N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 13.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 13.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R


SIR412DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3900 mW

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 600pF @10VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 15.6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 6.25 mm

宽度 5.26 mm

高度 1.12 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIR412DP-T1-GE3
型号: SIR412DP-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台