VISHAY SIS414DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 600 mV
The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for synchronous DC-to-DC converter, system power and load switch applications.
针脚数 8
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.4 W
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 13 ns
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
引脚数 8
封装 1212
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
数据手册