SI7703EDN-T1-GE3

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SI7703EDN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.041 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.3 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -6.30 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

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型号: SI7703EDN-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7703EDN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.041 ohm, -4.5 V, -1 V

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