VISHAY SIRA02DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.00165 ohm, 10 V, 1.1 V
**Features:
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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**
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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**
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* 100% Rg and UIS Tested**
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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**
Applications:
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* Synchronous Rectification**
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* ORing**
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* High Power Density DC/DC**
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* VRMs and Embedded DC/DC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 37.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 37.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Newark:
# VISHAY SIRA02DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 30 V, 0.00165 ohm, 10 V, 1.1 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.00165 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 1.1 V
输入电容 6150pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
热阻 2.5℃/W RθJC
输入电容Ciss 6150pF @15VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 71.4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
长度 6.25 mm
宽度 5.26 mm
高度 1.07 mm
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant