VISHAY SI4686DY-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 18.2 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3 V
The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high-side DC-to-DC conversion applications.
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- 100% Rg tested
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- Extremely low Qgd WFET® technology for low switching losses
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- -55 to 150°C Operating temperature range
针脚数 8
漏源极电阻 0.0078 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5.2 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 18.2 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1220pF @15VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4686DY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF8714PBF 英飞凌 | 功能相似 | SI4686DY-T1-E3和IRF8714PBF的区别 |
FDS6298 飞兆/仙童 | 功能相似 | SI4686DY-T1-E3和FDS6298的区别 |