SI7117DN-T1-E3

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SI7117DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.3 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.2 W

漏源极电压Vds -150 V

连续漏极电流Ids -21.7 A

上升时间 11 ns

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI7117DN-T1-E3
描述:P沟道150 V( D- S)的MOSFET P-Channel 150 V D-S MOSFET

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