SPP02N60C3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SPP02N60C3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 1.80 A

针脚数 3

漏源极电阻 2.7 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 3 V

输入电容 200 pF

栅电荷 12.5 nC

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 1.80 A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 200pF @25VVds

额定功率Max 25 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SPP02N60C3

型号： SPP02N60C3

制造商： Infineon 英飞凌

描述：INFINEON SPP02N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V

替代型号SPP02N60C3