N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
The is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with reduced total dynamic gate charge Qg.
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- Fast switching
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- 175°C Maximum junction temperature
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- Halogen-free
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
60V,8.5A,22Mohm RdsOn@10V,18nCQg,SO-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4850EY-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 6 A, 60 V, 18 mohm, 10 V, 3 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.3 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 10 ns
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.3 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 175℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4850EY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF7855PBF 英飞凌 | 功能相似 | SI4850EY-T1-GE3和IRF7855PBF的区别 |
SI4850EY-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI4850EY-T1-GE3和SI4850EY-T1-E3的区别 |
SI4470EY-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI4850EY-T1-GE3和SI4470EY-T1-E3的区别 |