SI8806DB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.035 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 900 mW
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 12 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.9 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MicroFoot-4
外形尺寸
长度 0.84 mm
宽度 0.84 mm
高度 0.213 mm
封装 MicroFoot-4
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI8806DB-T2-E1
型号： SI8806DB-T2-E1
描述：N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor