VISHAY SI2366DS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 30 V, 0.03 ohm, 10 V, 1.2 V
The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, high frequency switching and DC-to-DC converter applications.
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- 100% Rg tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
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- Halogen-free
得捷:
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
欧时:
### N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
30V, 5.8A, 36MOHM, N-CH, SOT-23
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
针脚数 3
漏源极电阻 0.03 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.1 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 48 ns
输入电容Ciss 335pF @15VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15