SI8469DB-T2-E1

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SI8469DB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数

上升时间 22 ns

下降时间 17 ns

封装参数

封装 MicroFoot-4

外形尺寸

封装 MicroFoot-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8469DB-T2-E1
型号: SI8469DB-T2-E1
描述:MOSFET 8V 4.6A 1.8W 64mOhms @ 4.5

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