SI1022R-T1-GE3概述
VISHAY SI1022R-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 330 mA, 60 V, 1.25 ohm, 10 V, 2.5 V
The is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
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- 2000V Gate-source ESD protected
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- Low ON-resistance
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- Low threshold
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- 25ns Fast switching speed
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- 30pF Low input capacitance
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- Low input and output leakage
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- Miniature package
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- Halogen-free
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- Low offset voltage
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- Low-voltage operation
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- High-speed circuits
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- Low error voltage
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- Small board area
SI1022R-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1.25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 mW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 330 mA
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 SC-75
外形尺寸
封装 SC-75
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SI1022R-T1-GE3
型号： SI1022R-T1-GE3
描述：VISHAY SI1022R-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 330 mA, 60 V, 1.25 ohm, 10 V, 2.5 V