SQA410EJ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SQA410EJ-T1-GE3概述

VISHAY SQA410EJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 600 mV

The is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

SQA410EJ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.023 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 13.6 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 PowerPAK-SC70-6

外形尺寸

长度 2.05 mm

宽度 2.05 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerPAK-SC70-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive, Power Management, Industrial, 车用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQA410EJ-T1-GE3

型号： SQA410EJ-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SQA410EJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 600 mV