SI3465DV-T1-E3

SI3465DV-T1-E3图片1
SI3465DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -4.00 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP-6

外形尺寸

封装 TSOP-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI3465DV-T1-E3
描述:P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V D-S MOSFET

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