SI5414DC-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5414DC-T1-GE3概述

MOSFET 20V 6A 6.3W 17mohm @ 4.5V

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition * TrenchFET® Power MOSFET * 100 % Rg Tested * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

SI5414DC-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 20.0 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

封装参数

引脚数 8

封装 ChipFET-8

外形尺寸

封装 ChipFET-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号： SI5414DC-T1-GE3

描述：MOSFET 20V 6A 6.3W 17mohm @ 4.5V