VISHAY SI1424EDH-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 400 mV
The is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switching and battery switch applications.
针脚数 6
漏源极电阻 0.027 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 20 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.8 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Portable Devices, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15