SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3图片1
SI2343DS-T1-GE3图片2
SI2343DS-T1-GE3图片3
SI2343DS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.053 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 750 mW

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -4.00 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI2343DS-T1-GE3
型号: SI2343DS-T1-GE3
描述:VISHAY  SI2343DS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 4A, TO-236
替代型号SI2343DS-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI2343DS-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

SI2343DS-T1-E3

威世

类似代替

SI2343DS-T1-GE3和SI2343DS-T1-E3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台