SI5458DU-T1-GE3

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SI5458DU-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.041 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-ChipFET-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.8 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerPAK-ChipFET-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI5458DU-T1-GE3
描述:VISHAY  SI5458DU-T1-GE3  晶体管, N沟道

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