SI4048DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4048DY-T1-GE3概述

VISHAY SI4048DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1 V

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high side applications.

SI4048DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.007 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5.7 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4048DY-T1-GE3

型号： SI4048DY-T1-GE3

描述：VISHAY SI4048DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1 V

替代型号SI4048DY-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4048DY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
FDS6670A 飞兆/仙童	功能相似	SI4048DY-T1-GE3和FDS6670A的区别
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IRF7821PBF 英飞凌	功能相似	SI4048DY-T1-GE3和IRF7821PBF的区别