SIA440DJ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIA440DJ-T1-GE3概述

VISHAY SIA440DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V

The is a 40VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, DC-to-DC converter, boost converter and LED backlighting applications.

.: 100% Rg tested

.: 100% UIS tested

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SIA440DJ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 6

漏源极电阻 0.021 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 19 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 40 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 PowerPAK-SC70-6

外形尺寸

宽度 2.05 mm

封装 PowerPAK-SC70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Portable Devices, Power Management, LED Lighting, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号： SIA440DJ-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SIA440DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V

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