SIA438EDJ-T1-GE3

SIA438EDJ-T1-GE3图片1
SIA438EDJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 20.0 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

封装参数

封装 PowerPAK-SC70-6

外形尺寸

封装 PowerPAK-SC70-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIA438EDJ-T1-GE3
型号: SIA438EDJ-T1-GE3
描述:MOSFET 20V 6A 11.4W 46mohm @ 4.5V

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