SIR172ADP-T1-GE3

SIR172ADP-T1-GE3图片1
SIR172ADP-T1-GE3图片2
SIR172ADP-T1-GE3图片3
SIR172ADP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3900 mW

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 1515pF @15VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.07 mm

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR172ADP-T1-GE3
型号: SIR172ADP-T1-GE3
描述:MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台