SIB437EDKT-T1-GE3

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SIB437EDKT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.028 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 13 W

上升时间 170 ns

下降时间 630 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 PowerPAK-SC75-6

外形尺寸

宽度 1.6 mm

封装 PowerPAK-SC75-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIB437EDKT-T1-GE3
型号: SIB437EDKT-T1-GE3
描述:VISHAY  SIB437EDKT-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -9 A, -8 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -350 mV

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