SI2316DS-T1-GE3

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SI2316DS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 3.40 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI2316DS-T1-GE3
型号: SI2316DS-T1-GE3
描述:MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V

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