SIB404DK-T1-GE3

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SIB404DK-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.015 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 13 W

阈值电压 350 mV

漏源极电压Vds 12 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 PowerPAK-SC70-6

外形尺寸

长度 2.05 mm

宽度 2.05 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerPAK-SC70-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIB404DK-T1-GE3
型号: SIB404DK-T1-GE3
描述:VISHAY  SIB404DK-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 12 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 350 mV

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