SI7326DN-T1-GE3

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SI7326DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

封装 PowerPAK-1212-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7326DN-T1-GE3
型号: SI7326DN-T1-GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8Pin PowerPAK 1212 T/R

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