SI4447ADY-T1-GE3概述
VISHAY SI4447ADY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -7.2 A, -40 V, 0.036 ohm, -10 V, -1.2 V
The is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and adaptor switch applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SI4447ADY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.036 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 4.2 W
输入电容Ciss 970pF @20VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SI4447ADY-T1-GE3
型号： SI4447ADY-T1-GE3
描述：VISHAY SI4447ADY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -7.2 A, -40 V, 0.036 ohm, -10 V, -1.2 V